1) Vorladewiderstand kann weg, die Charakteristik des FET ist ausreichend
2) die ganze Kostruktion da mit dem Transistor kann weg
3) wenn man ne Z-Diode mit einbaut, funktioniert das ganze System flexibel von 3-12S ohne die Ladezeiten zu verändern
Ich sprech da insofern aus Erfahrung, als das die Schaltung, auf die DirkS verlinkt hat, von McClean und mir erdacht wurde - und gerade bei verschiedenen Leuten im Test ist. Nexus665 (Simon) fliegt das gute Stück schon in seinem TDR.
Die Widerstandslösung halte ich für >6S unpraktikabel.
Zuletzt geändert von fireball; 26.05.2010, 09:44.
Das Problem bei der Schaltung sehe ich darin: die Steuerspannung für den FET ist kleiner (max. gleich) als die Akkuspannung, daher lässt sich der FET nicht komplett durchschalten.
Hätte ich gewusst, dass schon jemand (fireball ...) so eine Lösung hat, bräuchte
ich mir nicht den Kopf zu zerbrechen. ;-))
An eine Z-Diode zwischen G und S hatte ich auch schon gedacht. Da umgeht man
das Problem, dass bei >> 20 V aufgrund der max. Ugs das FET "gehimmelt" wird.
Ich probiere gerade eine andere Schaltungslösung mit einem p-Kanal FET.
Diese sieht etwas anders aus. Ich stelle diese nach meinem Test hier vor.
Primär hat Steffen da die Arbeit geleistet mit Platinen und Testbestückungen. Ich hab da nur bissl rumgerechnet.
P-Kanal würd ich bleiben lassen, die erreichen bei Weitem nicht so gute Werte, speziell was den RDSon angeht (Verlustleistung!) - und der "Bootstrap" wird deutlich komplizierter.
ja, fliege die Schaltung auf meinem TDR, bisher (und ich denke wohl auch in Zukunft ) keinerlei Probleme, geht einfach. Null Spannungsabfall, der Strom wird ja nach der Anlauframpe voll durchgeschalten. Regler haben bisher auch alle initialisiert daran (sehr geringe Verzögerung).
Hallo,
hier ein Lösungsvorschlag mit einem p-Kanal FET.
Ich bin irgendwann, irgendwo auf eine derartige Möglichkeit gestoßen.
Kurzbeschreibung:
1. UEin z. B. 50 V -> Gate = Source (wird über C2 kurz geschlossen), UGS = 0V, FET sperrt,
2. Strom fließt über C2 und R2, dadurch lädt sich C2 auf,
3. die ansteigende Spannung an C2 bewirkt das Absinken von UG,
4. Ein Absinken von UG bewirkt dass der FET leitet und UAus "langsam" ansteigt,
5. Bei ca. -10V steuert der FET dann voll durch und RDS(on) ist am geringsten,
6. D1 verhindert, dass z. B. UGS > -16V wird (je nach Z-Diode 12 -16V),
7. C1und R1 arbeiten dem sinkenden Potential von UG mit dem weiteren Ansteigen von UAus entgegen,
8. C1 entlädt sich während C2 sich immer noch auflädt und verzögert das Durchschalten des FET zusätzlich
Die Schaltung funktioniert ohne Probleme.
Sobald mein Oszi wieder betriebsbereit ist, werde ich mal nachmessen.
Rdson von 0,06 Ohm ist eigentlich schon heftig viel. Bei 20A sind das schon 24W Verlustleistung. Das meinte ich mit "schlechten Werten für Rdson". Kommt natürlich drauf an, für welche Regler oder BECs Du dimensioniert hast, Steffen und ich hatten uns direkt mal an den 20A vom Castle BEC festgehalten.
Hallo fireball,
ich habe diese Schaltung für das CC BEC Pro dimensioniert.
Ich glaube hier herrscht ein Missverständnis. Oder ich sehe was falsch.
Wenn auf der "Sekundärseite" des BEC's bei 6V max. 20A fließen, sind das 120W.
Richtig?
Auf der "Primärseite" des BEC's fließen bei einem 12s LiPo (50V) dann aber keine 20A!
Die Schaltung befindet sich ja auf der "Primärseite".
Allerdings glüht das BEC bei 20A - auch mit Lüfter - förmlich weg.
Ich habe gestern einen kleinen "Dauertest durchgeführt".
Bei 6V und 5A (für 10 Min.) auf der Sekundärseite des BEC's, flossen auf der Primärseite ca. 1A bei einer Eingangsspannung von ca. 40V.
Der FET wurde nicht mal handwarm.
Du hast schon recht - allerdings wollen wir unsere Antiblitzversion auch für BL-Regler bauen - mit dickeren FETs natürlich. Da wäre es fatal mehr Verlustleistung zu produzieren als notwendig. Beim CC-BEC macht das wenig aus, da hast Du recht - fliesst wenig Strom. Trozdem frage ich mich warum es unbedingt ein p-FET sein muss..
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